Справочник транзисторов. NSS60201SMT

 

Биполярный транзистор NSS60201SMT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS60201SMT
   Маркировка: AQ*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: WDFN6
 

 Аналог (замена) для NSS60201SMT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60201SMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  onsemi
nss60201smt.pdfpdf_icon

NSS60201SMT

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) NPN Transistor 60 Volt, 2 AmpNPN Low VCE(sat) Transistor60 V, 2 AMARKINGNSS60201SMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6WDFN6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AQ MG2 5CASE 506ANG(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use3 41

 6.1. Size:127K  onsemi
nss60201lt1g.pdfpdf_icon

NSS60201SMT

NSS60201LT1G60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.

 7.1. Size:249K  onsemi
nss60200dmt.pdfpdf_icon

NSS60201SMT

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) PNP Transistors 60 Volt, 2 AmpPNP Low VCE(sat) Transistors60 V, 2 AMARKINGNSS60200DMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltageWDFN6AD M(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506ANin low voltage, h

 7.2. Size:148K  onsemi
nss60200l.pdfpdf_icon

NSS60201SMT

NSS60200L60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.-

Другие транзисторы... NSB4904DW1T2G , NSS1C200MZ4 , NSS20200DMT , NSS40300MZ4 , NSS40301MZ4 , NSS60101DMR6 , NSS60200DMT , NSS60200L , 100DA025D , NSS60600MZ4 , NST1601CL , NST3904MX2 , NST3906DXV6T1 , NST3906MX2 , NST4617MX2 , NST65010MW6 , NST65011MW6 .

History: BTN2369A3

 

 
Back to Top

 


 
.