NSS60201SMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS60201SMT

Маркировка: AQ*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: WDFN6

 Аналоги (замена) для NSS60201SMT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60201SMT даташит

 ..1. Size:206K  onsemi
 nss60201smt.pdf pdf_icon

NSS60201SMT

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) NPN Transistor 60 Volt, 2 Amp NPN Low VCE(sat) Transistor 60 V, 2 A MARKING NSS60201SMT DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 6 WDFN6 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AQ MG 2 5 CASE 506AN G (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use 3 4 1

 6.1. Size:127K  onsemi
 nss60201lt1g.pdf pdf_icon

NSS60201SMT

NSS60201LT1G 60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

 7.1. Size:249K  onsemi
 nss60200dmt.pdf pdf_icon

NSS60201SMT

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) PNP Transistors 60 Volt, 2 Amp PNP Low VCE(sat) Transistors 60 V, 2 A MARKING NSS60200DMT DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage WDFN6 AD M (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506AN in low voltage, h

 7.2. Size:148K  onsemi
 nss60200l.pdf pdf_icon

NSS60201SMT

NSS60200L 60 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSB4904DW1T2G, NSS1C200MZ4, NSS20200DMT, NSS40300MZ4, NSS40301MZ4, NSS60101DMR6, NSS60200DMT, NSS60200L, TIP31C, NSS60600MZ4, NST1601CL, NST3904MX2, NST3906DXV6T1, NST3906MX2, NST4617MX2, NST65010MW6, NST65011MW6