Биполярный транзистор NSS60201SMT Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSS60201SMT
Маркировка: AQ*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: WDFN6
Аналог (замена) для NSS60201SMT
NSS60201SMT Datasheet (PDF)
nss60201smt.pdf

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) NPN Transistor 60 Volt, 2 AmpNPN Low VCE(sat) Transistor60 V, 2 AMARKINGNSS60201SMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6WDFN6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AQ MG2 5CASE 506ANG(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use3 41
nss60201lt1g.pdf

NSS60201LT1G60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.
nss60200dmt.pdf

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) PNP Transistors 60 Volt, 2 AmpPNP Low VCE(sat) Transistors60 V, 2 AMARKINGNSS60200DMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltageWDFN6AD M(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506ANin low voltage, h
nss60200l.pdf

NSS60200L60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.-
Другие транзисторы... NSB4904DW1T2G , NSS1C200MZ4 , NSS20200DMT , NSS40300MZ4 , NSS40301MZ4 , NSS60101DMR6 , NSS60200DMT , NSS60200L , 100DA025D , NSS60600MZ4 , NST1601CL , NST3904MX2 , NST3906DXV6T1 , NST3906MX2 , NST4617MX2 , NST65010MW6 , NST65011MW6 .
History: BTN2369A3
History: BTN2369A3



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor