Справочник транзисторов. NST3906MX2

 

Биполярный транзистор NST3906MX2 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NST3906MX2
   Маркировка: AF*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.165 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: X2DFN3
 

 Аналог (замена) для NST3906MX2

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NST3906MX2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nst3906mx2.pdf pdf_icon

NST3906MX2

DATA SHEETwww.onsemi.comGeneral Purpose Transistor COLLECTOR3PNP Silicon1NST3906MX2BASEFeatures2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSEMITTERCompliant3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2Collector-Emitter Voltage VCEO -40 VdcX2DFN3 (1.0 x 0.6 mm)CASE 714ACCollector-Base Voltage VCBO -40 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0

 7.1. Size:172K  onsemi
 nst3906dxv6t1 nst3906dxv6t5.pdf pdf_icon

NST3906MX2

NST3906DXV6T1,NST3906DXV6T5Dual General PurposeTransistorThe NST3906DXV6T1 device is a spin- off of our popularSOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for generalhttp://onsemi.compurpose amplifier applications and is housed in the SOT- 563six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in(3) (2) (1)one package, this device is ideal for low-power

 7.2. Size:92K  onsemi
 nst3906f3t5g.pdf pdf_icon

NST3906MX2

NST3906F3T5GPNP General PurposeTransistorThe NST3906F3T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563/SOT-963 three-leaded device. It isdesigned for general purpose amplifier applications and is housed inhttp://onsemi.comthe SOT-1123 surface mount package. This device is ideal forlow-power surface mount applications where board space is at apremium. COLLECTOR3

 7.3. Size:96K  onsemi
 nst3906dxv6t1-5.pdf pdf_icon

NST3906MX2

NST3906DXV6T1,NST3906DXV6T5Dual General PurposeTransistorThe NST3906DXV6T1 device is a spin- off of our popularSOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for generalhttp://onsemi.compurpose amplifier applications and is housed in the SOT- 563six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in(3) (2) (1)one package, this device is ideal for low-power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA1163GR

 

 
Back to Top

 


 
.