NST4617MX2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NST4617MX2

Маркировка: AG*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.166 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 112 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: X2DFN3

 Аналоги (замена) для NST4617MX2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NST4617MX2 даташит

 ..1. Size:110K  onsemi
 nst4617mx2.pdf pdf_icon

NST4617MX2

DATA SHEET www.onsemi.com NPN Silicon General COLLECTOR 3 Purpose Amplifier 1 Transistor BASE NST4617MX2 2 This NPN transistor is designed for general purpose amplifier EMITTER applications. This device is housed in the X2DFN3 package which is designed for surface mount applications, where board space is at a 3 premium. Features 1 2 High hFE, 280 (typical) X2DFN3 (1.0x0.

Другие транзисторы: NSS60200DMT, NSS60200L, NSS60201SMT, NSS60600MZ4, NST1601CL, NST3904MX2, NST3906DXV6T1, NST3906MX2, S9014, NST65010MW6, NST65011MW6, NST846BMX2, NST847AMX2, NST847BMX2, NST857AMX2, NST857BMX2, NSV1C200L