Биполярный транзистор NSV20101J Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSV20101J
Маркировка: AA*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.255 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC89
Аналог (замена) для NSV20101J
NSV20101J Datasheet (PDF)
nss20101j nsv20101j.pdf

NSS20101J, NSV20101J20 V, 1.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is
nsv20101jt1g.pdf

NSS20101J, NSV20101J20 V, 1.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is
nsv20200lt1g.pdf

NSS20200LT1G,NSV20200LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These-20 VOLTSare designed for use in low voltage, high speed switching applications4.0 AMPSwhere affordable
nsv20201lt1g.pdf

NSS20201LT1G,NSV20201LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These20 VOLTS 4.0 AMPSare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsNPN LOW VCE(sat) T
Другие транзисторы... NST847BMX2 , NST857AMX2 , NST857BMX2 , NSV1C200L , NSV1C200MZ4 , NSV1C201L , NSV1C201MZ4 , NSV1C301CT , BD135 , NSV40200L , NSV40501UW3 , NSVBC818-40L , NSVBC849BLT1G , NSVBC856BM3 , NSVBCH807-16L , NSVBCH807-25L , NSVBCH807-40L .
History: BC857BS | DRC5614T | NPS5132 | KSC2690R
History: BC857BS | DRC5614T | NPS5132 | KSC2690R



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924