NSV20101J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV20101J

Маркировка: AA*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.255 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC89

 Аналоги (замена) для NSV20101J

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV20101J даташит

 ..1. Size:105K  onsemi
 nss20101j nsv20101j.pdf pdf_icon

NSV20101J

NSS20101J, NSV20101J 20 V, 1.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is

 0.1. Size:109K  onsemi
 nsv20101jt1g.pdf pdf_icon

NSV20101J

NSS20101J, NSV20101J 20 V, 1.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is

 9.1. Size:126K  onsemi
 nsv20200lt1g.pdf pdf_icon

NSV20101J

NSS20200LT1G, NSV20200LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These -20 VOLTS are designed for use in low voltage, high speed switching applications 4.0 AMPS where affordable

 9.2. Size:119K  onsemi
 nsv20201lt1g.pdf pdf_icon

NSV20101J

NSS20201LT1G, NSV20201LT1G 20 V, 4.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These 20 VOLTS 4.0 AMPS are designed for use in low voltage, high speed switching applications NPN LOW VCE(sat) T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NST847BMX2, NST857AMX2, NST857BMX2, NSV1C200L, NSV1C200MZ4, NSV1C201L, NSV1C201MZ4, NSV1C301CT, BD135, NSV40200L, NSV40501UW3, NSVBC818-40L, NSVBC849BLT1G, NSVBC856BM3, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L