NSVBC856BM3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBC856BM3

Маркировка: 3B*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSVBC856BM3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBC856BM3 даташит

 ..1. Size:160K  onsemi
bc856bm3 nsvbc856bm3.pdfpdf_icon

NSVBC856BM3

BC856BM3, NSVBC856BM3 General Purpose Transistor PNP Silicon This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-723 which is designed for low power surface mount applications. http //onsemi.com Features COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

 7.1. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBC856BM3

BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-

 7.2. Size:86K  onsemi
nsvbc857blt3g.pdfpdf_icon

NSVBC856BM3

BC856ALT1G Series General Purpose Transistors PNP Silicon Features http //onsemi.com S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 COLLECTOR Qualified and PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless other

 7.3. Size:81K  onsemi
nsvbc857cwt1g.pdfpdf_icon

NSVBC856BM3

BC856B, BC857B, BC858A General Purpose Transistors PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR 3 Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 1 Unique Site and Control Change Requirement

Другие транзисторы: NSV1C201L, NSV1C201MZ4, NSV1C301CT, NSV20101J, NSV40200L, NSV40501UW3, NSVBC818-40L, NSVBC849BLT1G, 2SD313, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, NSVBCH817-40L, NSVBT2222ADW1, NSVF3007SG3