NSVBC856BM3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSVBC856BM3
Маркировка: 3B*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220
Корпус транзистора: SOT723
Аналоги (замена) для NSVBC856BM3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSVBC856BM3 даташит
bc856bm3 nsvbc856bm3.pdf
BC856BM3, NSVBC856BM3 General Purpose Transistor PNP Silicon This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-723 which is designed for low power surface mount applications. http //onsemi.com Features COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdf
BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-
nsvbc857blt3g.pdf
BC856ALT1G Series General Purpose Transistors PNP Silicon Features http //onsemi.com S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 COLLECTOR Qualified and PPAP Capable 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless other
nsvbc857cwt1g.pdf
BC856B, BC857B, BC858A General Purpose Transistors PNP Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier www.onsemi.com applications. They are housed in the SC-70/SOT-323 which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR 3 Features S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 1 Unique Site and Control Change Requirement
Другие транзисторы: NSV1C201L, NSV1C201MZ4, NSV1C301CT, NSV20101J, NSV40200L, NSV40501UW3, NSVBC818-40L, NSVBC849BLT1G, 2SD313, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, NSVBCH817-40L, NSVBT2222ADW1, NSVF3007SG3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389









