NSVBCH817-40L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBCH817-40L

Маркировка: 6X

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSVBCH817-40L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBCH817-40L даташит

 ..1. Size:205K  onsemi
bch817-16l bch817-25l bch817-40l nsvbch817-16l nsvbch817-25l nsvbch817-40l.pdfpdf_icon

NSVBCH817-40L

General Purpose Transistors NPN Silicon BCH817-16L/25L/40L, NSVBCH817-16L/25L/40L www.onsemi.com Features 175 C TJ(max) - Rated for High Temperature, Mission Critical COLLECTOR Applications 3 NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free,

 7.1. Size:204K  onsemi
bch807-16l bch807-25l bch807-40l nsvbch807-16l nsvbch807-25l nsvbch807-40l.pdfpdf_icon

NSVBCH817-40L

General Purpose Transistors PNP Silicon BCH807-16L/25L/40L, NSVBCH807-16L/25L/40L www.onsemi.com Features 175 C TJ(max) - Rated for High Temperature, Mission Critical COLLECTOR Applications 3 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free, Ha

 9.1. Size:69K  onsemi
nsvbcp53-16t3g.pdfpdf_icon

NSVBCH817-40L

BCP53 Series PNP Silicon Epitaxial Transistors This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. http //onsemi.com High Current NPN Complement is BCP56 MEDIUM POWER HIGH The SOT-223 Package can be soldered using wave or reflow

 9.2. Size:111K  onsemi
bc846alt1g bc846blt1g bc847alt1g bc847blt1g nsvbc847blt3g bc847clt1g bc848alt1g bc848blt1g bc848clt1g bc849blt1g bc849clt1g bc850blt1g nsvbc850blt1g bc850clt1g nsvbc850clt1g.pdfpdf_icon

NSVBCH817-40L

BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 www.onsemi.com ESD Rating - Human Body Model >4000 V ESD Rating - Machine Model >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 These Devices are Pb-

Другие транзисторы: NSVBC818-40L, NSVBC849BLT1G, NSVBC856BM3, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, TIP42, NSVBT2222ADW1, NSVF3007SG3, NSVF4009SG4, NSVF4015SG4, NSVF4017SG4, NSVF4020SG4, NSVF5488SK, NSVF5490SK