NSVBT2222ADW1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVBT2222ADW1

Маркировка: 1P*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NSVBT2222ADW1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBT2222ADW1 даташит

 ..1. Size:139K  onsemi
 mbt2222adw1 nsvbt2222adw1.pdf pdf_icon

NSVBT2222ADW1

MBT2222ADW1, NSVBT2222ADW1 General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features Moisture Sensitivity Level 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring (3) (2) (1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable Q1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (4) (5) (6) MAXIM

 0.1. Size:144K  onsemi
 nsvbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

NSVBT2222ADW1

MBT2222ADW1, NSVBT2222ADW1 General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features Moisture Sensitivity Level 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring (3) (2) (1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable Q1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (4) (5) (6) MAXIM

Другие транзисторы: NSVBC849BLT1G, NSVBC856BM3, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, NSVBCH817-40L, C3198, NSVF3007SG3, NSVF4009SG4, NSVF4015SG4, NSVF4017SG4, NSVF4020SG4, NSVF5488SK, NSVF5490SK, NSVF6001SB6