NSVF4015SG4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVF4015SG4

Маркировка: GN

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: MCPH4

 Аналоги (замена) для NSVF4015SG4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVF4015SG4 даташит

 ..1. Size:216K  onsemi
 nsvf4015sg4.pdf pdf_icon

NSVF4015SG4

NSVF4015SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz typ. This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. www.onsemi.com MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for 12 V, 100 mA automotive applications

 7.1. Size:838K  onsemi
 nsvf4017sg4.pdf pdf_icon

NSVF4015SG4

NSVF4017SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier 12 V, 100 mA, fT = 10 GHz typ. This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. www.onsemi.com MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. Features 1

 8.1. Size:684K  onsemi
 nsvf4020sg4.pdf pdf_icon

NSVF4015SG4

NSVF4020SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 8 V, 150 mA Features fT = 16 GHz t

 8.2. Size:718K  onsemi
 nsvf4009sg4.pdf pdf_icon

NSVF4015SG4

NSVF4009SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 3.5 V, 40 mA Features fT = 25 GHz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, NSVBCH817-40L, NSVBT2222ADW1, NSVF3007SG3, NSVF4009SG4, 2SB817, NSVF4017SG4, NSVF4020SG4, NSVF5488SK, NSVF5490SK, NSVF6001SB6, NSVF6003SB6, NSVMBT3904DW1, NSVMMBT5401L