Биполярный транзистор NSVMMBTH10L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NSVMMBTH10L
Маркировка: 3EM*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
- подбор биполярного транзистора по параметрам
NSVMMBTH10L Datasheet (PDF)
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdf

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M
mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdf

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M
mmbth10lt1g nsvmmbth10lt1g mmbth10-04lt1g.pdf

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
nsvmmbth10lt1g.pdf

MMBTH10LT1G,NSVMMBTH10LT1G,MMBTH10LT3G,MMBTH10-4LT1GVHF/UHF Transistorhttp://onsemi.comNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCASE 318Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant*
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: HIT5609 | BSW75 | 3DD13005_B3 | 3DD3320_AN | 2SD874A-R | 2N2113
History: HIT5609 | BSW75 | 3DD13005_B3 | 3DD3320_AN | 2SD874A-R | 2N2113



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent