Справочник транзисторов. NSVMMBTH10L

 

Биполярный транзистор NSVMMBTH10L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVMMBTH10L
   Маркировка: 3EM*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для NSVMMBTH10L

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVMMBTH10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  onsemi
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10L

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

 0.1. Size:151K  onsemi
mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10L

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

 0.2. Size:204K  onsemi
mmbth10lt1g nsvmmbth10lt1g mmbth10-04lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10L

ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 0.3. Size:102K  onsemi
nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10L

MMBTH10LT1G,NSVMMBTH10LT1G,MMBTH10LT3G,MMBTH10-4LT1GVHF/UHF Transistorhttp://onsemi.comNPN SiliconFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCASE 318Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant*

Другие транзисторы... NSVF4020SG4 , NSVF5488SK , NSVF5490SK , NSVF6001SB6 , NSVF6003SB6 , NSVMBT3904DW1 , NSVMMBT5401L , NSVMMBT6520L , NJW0281G , NSVMSD1819A-RT1G , NSVS50030SB3 , NSVS50031SB3 , NSVT1418L , NSVUMC2NT1G , NSVUMC3NT1G , NSVUMC5NT2G , NSVUMZ1NT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.