NSVT1418L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVT1418L

Маркировка: CMM*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.42 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 11 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSVT1418L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVT1418L даташит

 ..1. Size:173K  onsemi
 nsvt1418l.pdf pdf_icon

NSVT1418L

DATA SHEET www.onsemi.com 3 Bipolar Transistor -160 V, -1 A, Low VCE(sat), PNP 1 2 Single SOT-23 CASE 318-08 NSVT1418L This device is bipolar junction transistor featuring high current, low ELECTRICAL CONNECTION saturation voltage, and high speed switching. 3 Suitable for automotive applications. AEC-Q101 qualified and Collector PPAP capable. Features 1 Base Large Curren

Другие транзисторы: NSVF6003SB6, NSVMBT3904DW1, NSVMMBT5401L, NSVMMBT6520L, NSVMMBTH10L, NSVMSD1819A-RT1G, NSVS50030SB3, NSVS50031SB3, 2SC2240, NSVUMC2NT1G, NSVUMC3NT1G, NSVUMC5NT2G, NSVUMZ1NT1G, PN2222ABU, PN2222ATA, PN2222ATF, PN2222ATFR