SMBT3904DW1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMBT3904DW1

Маркировка: MA*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для SMBT3904DW1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SMBT3904DW1 даташит

 ..1. Size:96K  onsemi
mbt3904dw1 mbt3904dw2 smbt3904dw1 nsvmbt3904dw1.pdfpdf_icon

SMBT3904DW1

MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 0.1. Size:908K  onsemi
smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdfpdf_icon

SMBT3904DW1

MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com The MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is MARKING designed for general purpose amplifier applications and is housed in DIAGRAM the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two 6 discrete devices in one

 6.1. Size:215K  siemens
smbt3904 s1a sot23.pdfpdf_icon

SMBT3904DW1

NPN Silicon Switching Transistor SMBT 3904 High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type SMBT 3906 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBT 3904 s1A Q68000-A4416 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Collector-base voltage VCB0

 6.2. Size:212K  siemens
smbt3904.pdfpdf_icon

SMBT3904DW1

NPN Silicon Switching Transistor SMBT 3904 High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type SMBT 3906 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBT 3904 s1A Q68000-A4416 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Collector-base voltage VCB0

Другие транзисторы: PN2907ATAR, PN2907ATF, PN2907ATFR, PZT751T1, SBC817-16L, SBC817-25L, SBC817-40L, SBC847BPDXV6, A42, SMBT3906DW1, SMMBT2222AL, SMMBT2222AWT1G, SMMBT2907AL, SMMBT3904L, SMMBT3904TT1G, SMMBT3904WT1G, SMMBT3906L