SMBT3904DW1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SMBT3904DW1
Маркировка: MA*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для SMBT3904DW1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SMBT3904DW1 даташит
mbt3904dw1 mbt3904dw2 smbt3904dw1 nsvmbt3904dw1.pdf
MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de
smbt3904dw1t1g mbt3904dw.pdf
MBT3904DW1T1G, MBT3904DW2T1G, SMBT3904DW1T1G Dual General Purpose Transistors http //onsemi.com The MBT3904DW1T1G and MBT3904DW2T1G devices are a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is MARKING designed for general purpose amplifier applications and is housed in DIAGRAM the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two 6 discrete devices in one
smbt3904 s1a sot23.pdf
NPN Silicon Switching Transistor SMBT 3904 High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type SMBT 3906 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBT 3904 s1A Q68000-A4416 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Collector-base voltage VCB0
smbt3904.pdf
NPN Silicon Switching Transistor SMBT 3904 High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type SMBT 3906 (PNP) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBT 3904 s1A Q68000-A4416 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Collector-base voltage VCB0
Другие транзисторы: PN2907ATAR, PN2907ATF, PN2907ATFR, PZT751T1, SBC817-16L, SBC817-25L, SBC817-40L, SBC847BPDXV6, A42, SMBT3906DW1, SMMBT2222AL, SMMBT2222AWT1G, SMMBT2907AL, SMMBT3904L, SMMBT3904TT1G, SMMBT3904WT1G, SMMBT3906L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123










