Справочник транзисторов. SMMBTH10-4L

 

Биполярный транзистор SMMBTH10-4L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SMMBTH10-4L
   Маркировка: 3E4*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SMMBTH10-4L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  onsemi
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdfpdf_icon

SMMBTH10-4L

MMBTH10L,MMBTH10-4L,SMMBTH10-4L,NSVMMBTH10LVHF/UHF Transistorwww.onsemi.comNPN SiliconFeatures S and NSV Prefixes for Automotive and Other ApplicationsSOT-23 (TO-236)Requiring Unique Site and Control Change Requirements;CASE 318AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableSTYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant31M

 9.1. Size:92K  onsemi
mmbt3904tt1g smmbt3904tt1g.pdfpdf_icon

SMMBTH10-4L

MMBT3904TT1G,SMMBT3904TT1GGeneral Purpose TransistorsNPN SiliconThis transistor is designed for general purpose amplifierwww.onsemi.comapplications. It is housed in the SOT-416/SC-75 package which isdesigned for low power surface mount applications.GENERAL PURPOSEFeaturesAMPLIFIER TRANSISTORS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSURFACE MOUNT

 9.2. Size:159K  onsemi
mmbt2222l mmbt2222al smmbt2222al.pdfpdf_icon

SMMBTH10-4L

MMBT2222L, MMBT2222AL,SMMBT2222ALGeneral Purpose TransistorsNPN Siliconwww.onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCOLLECTORCompliant 3 S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and1PPAP CapableBASE2MAXIMUM RATINGSEMITTERRating Symbol Valu

 9.3. Size:128K  onsemi
mmbt3904wt1g smmbt3904wt1g mmbt3906wt1g smmbt3906wt1g.pdfpdf_icon

SMMBTH10-4L

MMBT3904WT1G, NPN,SMMBT3904WT1G, NPN,MMBT3906WT1G, PNP,SMMBT3906WT1G, PNPGeneral Purposewww.onsemi.comTransistorsNPN and PNP SiliconCOLLECTOR3These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-323/SC-70 package which1is designed for low power surface mount applications.BASEFeatures2 S Prefix for Automotive an

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CSA968O | RT1P434C | 2SD1242A | D33J24 | 2SC1336 | BC846_SER | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.