Биполярный транзистор TIP30BG
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP30BG
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для TIP30BG
TIP30BG
Datasheet (PDF)
..1. Size:268K onsemi
tip29g tip29ag tip29bg tip29cg tip30g tip30ag tip30bg tip30cg.pdf TIP29, A, B, C (NPN),TIP30, A, B, C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications. Compact TO-220 package.www.onsemi.comFeatures1 AMPERE These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*POWER TRANSISTORSMAXIMUM RATINGS COMPLEMENTARY SILICONRating Symbol Value Unit 40, 60, 80, 100 VOLTS, Col
8.1. Size:527K fairchild semi
tip30 tip30a tip30b tip30c.pdf July 2008TIP30/TIP30A/TIP30B/TIP30CPNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures Complementary to TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C1. Base 2. Collector 3. EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : TIP30 - 40 V : TIP30A - 60 V : TIP30B - 80 V : TIP30C - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage : TIP30 - 40
8.2. Size:105K onsemi
tip29 tip29a tip29b tip29c tip30 tip30a tip30b tip30c.pdf TIP29, A, B, C (NPN),TIP30, A, B, C (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsDesigned for use in general purpose amplifier and switchingapplications. Compact TO-220 package.www.onsemi.comFeatures1 AMPERE These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant*POWER TRANSISTORSMAXIMUM RATINGS COMPLEMENTARY SILICONRating Symbol Value Unit 40, 60, 80, 100 VOLTS, Col
8.3. Size:119K inchange semiconductor
tip30 tip30a tip30b tip30c.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP30/30A/30B/30C DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type TIP29/29A/29B/29C APPLICATIONS For use in general purpose power amplifer and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25)
8.4. Size:213K inchange semiconductor
tip30b.pdf isc Silicon PNP Power Transistors TIP30BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -80V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.)@I = -1.0ACE(sat) CComplement to Type TIP29BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose amplifier and switching
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.