BC846BM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BC846BM
Маркировка: ZB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT883
BC846BM Datasheet (PDF)
bc846bm.pdf
BC846BM 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor 20 August 2015 Product data sheet 1. General description NPN general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement BC856BM. 2. Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Power dissipation comparable to SOT23 AEC-Q101 quali
bc846bmb.pdf
BC846BMB 65 V, 100 mA NPN general-purpose transistor Rev. 1 15 May 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Low package height of 0.37 mm Power dissipati
nsvbc846bm3t5g.pdf
BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI
bc846bm3t5g nsvbc846bm3t5g.pdf
BC846BM3T5G, NSVBC846BM3T5G General Purpose Transistor NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model >4000 V Machine Model >400 V COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE This is a Pb-Free Device 2 EMI
Другие транзисторы... BC816-16 , BC816-16W , BC816-25 , BC816-25W , BC817K-16H , BC817K-25H , BC817K-40H , BC817RA , TIP122 , BC847AQA , BC847AQB , BC847AW-Q , BC847BQA , BC847BQB , BC847BW-Q , BC847CQA , BC847CQB .
History: BCP56T | SS8050T23
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet








