Биполярный транзистор BC856BM Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC856BM
Маркировка: J2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
Корпус транзистора: SOT883
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC856BM Datasheet (PDF)
bc856bm.pdf

BC856BM60 V, 100 mA PNP general-purpose transistor19 August 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: BC846BM.2. Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Power dissipation comparable to SOT23 AEC-Q101 quali
bc856bm3t5g.pdf

EMT1DXV6Dual General PurposeTransistorPNP DualThis transistor is designed for general purpose amplifierhttp://onsemi.comapplications. It is housed in the SOT-563 which is designed for lowpower surface mount applications.(3) (2) (1)Features Lead-Free Solder Plating Low VCE(SAT), t0.5 VQ1 Q2 NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site
bc856bm3 nsvbc856bm3.pdf

BC856BM3, NSVBC856BM3General Purpose TransistorPNP SiliconThis transistor is designed for general purpose amplifierapplications. It is housed in the SOT-723 which is designed for lowpower surface mount applications.http://onsemi.comFeaturesCOLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring3Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualifie
bc856bm3t5g-d.pdf

BC856BM3T5GPreferred DevicesGeneral Purpose TransistorPNP SiliconThis transistor is designed for general purpose amplifierapplications. It is housed in the SOT-723 which is designed for lowpower surface mount applications.http://onsemi.com This is a Pb-Free DeviceCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value Unit1BASECollector-Emitter Voltage VCEO -65 VCollecto
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: GT309V | BC266B | 2SC1481 | 2SC5124 | BFW45 | BD253C | 2SC2282
History: GT309V | BC266B | 2SC1481 | 2SC5124 | BFW45 | BD253C | 2SC2282



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent