Справочник транзисторов. BC857BQA

 

Биполярный транзистор BC857BQA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC857BQA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT1215
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BQA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1369K  nxp
bc857aqa bc857bqa bc857cqa.pdfpdf_icon

BC857BQA

BC857XQA series45 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsRev. 1 26 August 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType number Package NPN complementNexperia JEITA

 7.1. Size:270K  cn yangzhou yangjie elec
bc856aq bc856bq bc857aq bc857bq bc857cq bc858aq bc858bq bc858cq.pdfpdf_icon

BC857BQA

RoHS COMPLIANT BC856Q THRU BC858Q PNP General Purpose Amplifier Features Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating and halogen free Moisture Sensitivity Level 1 High Conductance Part no. with suffix Q means AEC-Q101 qualified Applications General purpose switching and amplification Mechanical Data : SOT-23 Case Terminals: Tin plated

 8.1. Size:121K  philips
bc857bv.pdfpdf_icon

BC857BQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC857BVPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Aug 10NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC857BVFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2

 8.2. Size:111K  philips
bc857bs.pdfpdf_icon

BC857BQA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEEThandbook, halfpageMBD128BC857BSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 1999 Apr 26Supersedes data of 1997 Jul 09 NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC857BSFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 emitter TR1

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: GME0404 | BC232B | 2N964 | 2SD468C | 2SC1103A | 2SC3443 | PUMD4

 

 
Back to Top

 


 
.