Справочник транзисторов. PDTA124EMB

 

Биполярный транзистор PDTA124EMB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTA124EMB
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT883B
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124EMB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  nxp
pdta124emb.pdfpdf_icon

PDTA124EMB

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:58K  motorola
pdta124es 2.pdfpdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTA124ESPNP resistor-equipped transistor1998 May 20Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 04File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification o

 6.2. Size:57K  motorola
pdta124ee 2.pdfpdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA124EEPNP resistor-equipped transistorProduct specification 1998 Jul 23Supersedes data of 1997 Jul 04File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124EEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 6.3. Size:56K  motorola
pdta124et 5.pdfpdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D088PDTA124ETPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 13Product specificationSupersedes data of 1998 May 18Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA124ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.