PDTA124EMB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTA124EMB

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT883B

 Аналоги (замена) для PDTA124EMB

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTA124EMB даташит

 ..1. Size:963K  nxp
 pdta124emb.pdf pdf_icon

PDTA124EMB

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.1. Size:58K  motorola
 pdta124es 2.pdf pdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTA124ES PNP resistor-equipped transistor 1998 May 20 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification o

 6.2. Size:57K  motorola
 pdta124ee 2.pdf pdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA124EE PNP resistor-equipped transistor Product specification 1998 Jul 23 Supersedes data of 1997 Jul 04 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) Simplification of circuit design

 6.3. Size:56K  motorola
 pdta124et 5.pdf pdf_icon

PDTA124EMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ok, halfpage M3D088 PDTA124ET PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 13 Product specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA124ET FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit design 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTA114EQA, PDTA114TMB, PDTA114YQA, PDTA115EMB, PDTA115TMB, PDTA123JQA, PDTA123TMB, PDTA123YMB, 2N3055, PDTA124EQA, PDTA143EQA, PDTA143XQA, PDTA143ZQA, PDTA144EQA, PDTA144TMB, PHPT61002NYCLH, PHPT61002PYCLH