Биполярный транзистор MMBT3906HE3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT3906HE3
Маркировка: 2A*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для MMBT3906HE3
MMBT3906HE3 Datasheet (PDF)
mmbt3906he3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBT3906HE3Features Halogen Free. "Green" Device (Note 1) AEC-Q101 Qualified Moisture Sensitivity Level 1PNP Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingGeneral Purpose Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) AmplifierMaximum RatingsSOT-23 Operating Junction Temperature Range: -55 to +150
mmbt3906l mmbt3906h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Integrated inOVP&OCP productsproviderMMBT3906SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 Features MMBT3904 ; Complementary to MMBT3904 200mW; Power Dissipation of 200mW High Stability and High Reliability Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Package
mmbt3906 mmbt3906l mmbt3906h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBT3906 SOT-23 PNP Transistors32 1.Base2.Emitter1 3.CollectorFeatures Simplified outline(SOT-23) Complementary to MMBT3904 Marking: 2AAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO -40 Collector - Emitter Voltage VCEO -40 VEmitter - Base Voltage VEBO -5Collector Current - Continuous IC -0.2 ACollector Power D
mmbt3906l mmbt3906h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MMBT3906 TRANSISTOR(PNP) SOT-23 SOT-23 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Features MMBT3904 ; Complementary to MMBT3904 200mW; Power Dissipation of 200mW High Stability and High Reliability Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Pack
mmbt3906l mmbt3906h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
YFSEMI ELECTRONSOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906 TRANSISTOR (PNP) SOT23 FEATURES As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended Epitaxial planar die construction 1. BASE MARKING: 2A 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .