DTC143EE-MS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DTC143EE-MS
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT-523
Аналоги (замена) для DTC143EE-MS
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DTC143EE-MS даташит
dtc143eua-ms dtc143ee-ms dtc143eca-ms dtc143eka-ms.pdf
www.msksemi.com DTC143 Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance DIGITAL TRANSISTOR (NPN) FEATURES Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors(see equivalent circuit) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input.They also have the advantag
dtc143ee-eua-eka 23 sot416 323 346.pdf
Transistors Digital transistors (built-in resistors) DTC143EE / DTC143EUA / DTC143EKA DTC143ESA FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resistors consist of thin- film resistors with complete isola- tion to allow negative bias
pdtc143ee 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC143EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig
pdtc143ee 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC143EE NPN resistor-equipped transistor 1998 Jul 31 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 03 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143EE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k each) Simplification of circuit desig
Другие транзисторы: 2SB772-MS, 2SC1623-MS, 2SC1815-MS, 2SD882-MS, A733-MS, C945-MS, DTA114YE-MS, DTC143EUA-MS, D880, DTC143ECA-MS, DTC143EKA-MS, FZT955-MS, MMBT2222A-MS, MMBT2907A-MS, MMBT3904-MS, MMBT3904T-MS, MMBT3906-MS
History: 3DD128FH3D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor












