Биполярный транзистор MMBT2907A-MS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT2907A-MS
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MMBT2907A-MS
MMBT2907A-MS Datasheet (PDF)
mmbt2907a-ms.pdf
www.msksemi.comMMBT2907A-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (PNP)FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A-MS)1. BASEMarking: 2F 2. EMITTERSOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -60 VVCEO Collector-Emitter
mmbt2907a-au.pdf
MMBT2907A-AUPNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR POWER 225 mWattVOLTAGE 60 VoltFEATURESPNP epitaxial silicon, planar design 0.120(3.04)0.110(2.80)Collector-emitter voltage VCE = -60VCollector current IC = -600mAAEC-Q101 qualifiedLead free in compliance with EU RoHS 2.0 0.056(1.40)Green molding compound as per IEC 61249 standard0.047(1.20)0.079(2.00) 0.008(0.20)
mmbt2907a-g.pdf
General Purpose TransistorMMBT2907A-G (PNP)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 -Epitaxial planar die construction -Device is designed as a general purpose0.118(3.00)0.110(2.80)amplifier and switching.3 -Useful dynamic range exceeds to 600mA0.055(1.40)0.047(1.20) As a switch and to 100MHz as an amplifier.1 20.079(2.00)0.071(1.80)0.006(0.15)0.003(0.08)0.041(1.05)0.
mmbt2907a-l mmbt2907a-h.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT2907AMMBT2907ASOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO -60 V2.EMITTER3.COLLECTORColle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050