Справочник транзисторов. 2SC1623L7-T3

 

Биполярный транзистор 2SC1623L7-T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC1623L7-T3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 2SC1623L7-T3

 

 

2SC1623L7-T3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  powersilicon
2sc1623l4-t3 2sc1623l5-t3 2sc1623l6-t3 2sc1623l7-t3.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

2SC1623PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS NPN Silicon FEATURES High DC Current GainhFE=200(Typ.) VCE=6V, IC=1mA High VoltageVCEO = 50V MECHANICAL DATA Available in SOT-23 Package SolderabilityMIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING 2SC1623--T3 SOT-23 Tape Reel See Classifica

 5.1. Size:563K  slkor
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3

2SC1623TRANSISTOR (NPN) TRANSISTOR (NPN)FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA High voltage:VCEO=50V MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) SOT-23 Symbol Parameter Value UnitVCBO 60 V Collector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage 1. BASE VEBO Emitter-Base Voltage 5 V2. EMITTER 3. COLLECTOR IC Collector Current -C

 5.2. Size:551K  umw-ic
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

RUMW UMW 2SC1623SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 2SC1623 TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1. BASE High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA 2. EMITTER High voltage:VCEO=50V 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO 60 VCollector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitte

 5.3. Size:909K  cn salltech
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

 5.4. Size:784K  cn shandong jingdao microelectronics
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

Jingdao Microelectronics co.LTD 2SC16232SC1623 SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ) VCE=6V,IC=1mA High voltage:VCEO=50V 12MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)1.BASESymbolParameter Value Unit 2.EMITTER3.COLLECTORCollectorBase Voltage VCBO 60 VCollectorEmit

 5.5. Size:1126K  cn shikues
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

 5.6. Size:914K  cn yongyutai
2sc1623l4 2sc1623l5 2sc1623l6 2sc1623l7.pdf

2SC1623L7-T3
2SC1623L7-T3

2SC1623SOT323 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High DC current gain :hFE=200(Typ)VCE=6V, IC=1mA High voltage:VCEO=50V 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2. EMITTER Symbol Parameter Value Unit3. COLLECTOR VCBO 60 VCollector-Base Voltage 50 VVCEO Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current -Continuous 100 m

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top