S8050H-T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8050H-T3

Маркировка: J3Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S8050H-T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8050H-T3 даташит

 ..1. Size:160K  powersilicon
s8050l-t3 s8050h-t3.pdfpdf_icon

S8050H-T3

 8.1. Size:969K  umw-ic
s8050l s8050h.pdfpdf_icon

S8050H-T3

R UMW S8050 TRANSISTOR(NPN) SOT-23 FEATURES Complimentary to S8550 1. BASE Collector Current IC=0.5A 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING J3Y MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.5 A PC C

 8.2. Size:365K  umw-ic
ss8050l ss8050h ss8050j.pdfpdf_icon

S8050H-T3

R UMW UMW SS8050 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 SS8050 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complimentary to SS8550 3. COLLECTOR MARKING Y1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Conti

 8.3. Size:789K  cn shikues
s8050l s8050h.pdfpdf_icon

S8050H-T3

Другие транзисторы: D882-Y-TD3T, D882-Y-TC2R, D882-Y-T89R, D882-GR-TE3B, D882-GR-TD3T, D882-GR-TC2R, D882-GR-T89R, S8050L-T3, S8050, S8550L-T3, S8550H-T3, 2SA1576U3, 2SA1576U3HZG, 2SAR293P5, 2SAR502U3, 2SAR512P5, 2SAR513P5