S8550L-T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8550L-T3

Маркировка: 2TY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S8550L-T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8550L-T3 даташит

 ..1. Size:159K  powersilicon
s8550l-t3 s8550h-t3.pdfpdf_icon

S8550L-T3

S8550 PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS PNP Silicon FEATURES Collector Current IC = -0.5A MECHANICAL DATA C Available in SOT-23 Package E Solderability MIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance B ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING CODE S8550 - -T3 SOT-23 Tape Reel 2TY Notes 1. none is for Lead Free package;

 8.1. Size:165K  wietron
ss8550lt1.pdfpdf_icon

S8550L-T3

SS8550LT1 PNP General Purpose Transistors 3 1 P b Lead(Pb)-Free 2 SOT-23 Value VCEO -25 -40 -5.0 -1500 300 2.4 417 -0.1 -25 -40 -100 -5.0 -100 -0.15 u -40 -0.15 u -5.0 WEITRON 27-Jul-2012 1/2 http //www.weitron.com.tw SS8550LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC

 8.2. Size:975K  shenzhen
ss8550lt1.pdfpdf_icon

S8550L-T3

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SS8550LT1 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES 1. BASE 2. EMITTER Power dissipation 3. COLLECTOR PCM 0.2 W (Tamb=25 ) Collector current ICM -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO -25 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg -55 to +150 ELE

 8.3. Size:361K  shenzhen
s8550lt1.pdfpdf_icon

S8550L-T3

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 S8550LT1 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES Power dissipation 2. 4 PCM 0.3 W (Tamb=25 ) 1. 3 Collector current ICM -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO -40 V Unit mm Operating and storage junction temperature range TJ, Tst

Другие транзисторы: D882-Y-TC2R, D882-Y-T89R, D882-GR-TE3B, D882-GR-TD3T, D882-GR-TC2R, D882-GR-T89R, S8050L-T3, S8050H-T3, 2SA1943, S8550H-T3, 2SA1576U3, 2SA1576U3HZG, 2SAR293P5, 2SAR502U3, 2SAR512P5, 2SAR513P5, 2SAR533P5