S8550H-T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8550H-T3

Маркировка: 2TY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S8550H-T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8550H-T3 даташит

 ..1. Size:159K  powersilicon
s8550l-t3 s8550h-t3.pdfpdf_icon

S8550H-T3

S8550 PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS PNP Silicon FEATURES Collector Current IC = -0.5A MECHANICAL DATA C Available in SOT-23 Package E Solderability MIL-STD-202, Method 208 Full RoHS Compliance B ORDERING INFORMATION PART NUMBER PACKAGE SHIPPING MARKING CODE S8550 - -T3 SOT-23 Tape Reel 2TY Notes 1. none is for Lead Free package;

 8.1. Size:864K  umw-ic
s8550l s8550h s8550j.pdfpdf_icon

S8550H-T3

R UMW UMW S8550 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 S8550 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complimentary to S8050 3. COLLECTOR Collector current IC=0.5A MARKING 2TY MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Volta

 8.2. Size:891K  umw-ic
ss8550l ss8550h ss8550j.pdfpdf_icon

S8550H-T3

R UMW UMW SS8550 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SS8550 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EB

 8.3. Size:343K  cn shikues
s8550l s8550h.pdfpdf_icon

S8550H-T3

Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High Collector Current.(IC= -500mA Complementary To S8050. Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS High Collector Current. ORDERING INFORMATION MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified 1 of 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 unless otherwise specified CLASSIFICATION OF hFE(1) 2 of 3 TYPICAL CHARAC

Другие транзисторы: D882-Y-T89R, D882-GR-TE3B, D882-GR-TD3T, D882-GR-TC2R, D882-GR-T89R, S8050L-T3, S8050H-T3, S8550L-T3, TIP122, 2SA1576U3, 2SA1576U3HZG, 2SAR293P5, 2SAR502U3, 2SAR512P5, 2SAR513P5, 2SAR533P5, 2SAR552P5