2SAR512P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SAR512P5

Маркировка: MB

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 430 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SAR512P5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR512P5 даташит

 ..1. Size:1803K  rohm
 2sar512p5.pdf pdf_icon

2SAR512P5

2SAR512P5 Datasheet Medium Power Transistors(-30V/-2A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-0.4V(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif

 6.1. Size:1570K  rohm
 2sar512pfra.pdf pdf_icon

2SAR512P5

2SAR512P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-30V/-2A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -30V IC -2A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-700mA/-35mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPac

 6.2. Size:220K  rohm
 2sar512p.pdf pdf_icon

2SAR512P5

Medium Power Transistors (-30V / -2A) 2SAR512P Structure Dimensions (Unit mm) PNP Silicon epitaxial planar transistor MPT3 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA) (1) (2) (3) 2) High speed switching (1)Base Applications (2)Collector Abbreviated symbol MB (3)Emitter Driver Packaging specifications Inner circuit

 7.1. Size:377K  rohm
 2sar512r.pdf pdf_icon

2SAR512P5

2SAR512R Datasheet PNP -2.0A -30V Middle Power Transistor lOutline TSMT3 Parameter Value Collector VCEO -30V Base IC -2.0A Emitter 2SAR512R (SC-96) lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR512R 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V(Max.) (IC/IB= -700mA/ -35mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplications Moto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S8050L-T3, S8050H-T3, S8550L-T3, S8550H-T3, 2SA1576U3, 2SA1576U3HZG, 2SAR293P5, 2SAR502U3, D882, 2SAR513P5, 2SAR533P5, 2SAR552P5, 2SAR553P5, 2SAR553PHZG, 2SAR554P5, 2SAR572D3, 2SC4081U3