BC857BHZG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги BC857BHZG. Основные параметры


   Наименование производителя: BC857BHZG
   Маркировка: G3F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BC857BHZG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BHZG даташит

 ..1. Size:1377K  rohm
bc857bhzg.pdfpdf_icon

BC857BHZG

BC857B HZG Datasheet PNP General purpose transistor AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-23 Parameter Value VCEO -45V IC -100mA SST3 lFeatures lInner circuit l l 1)BVCEO>45V(IC=1mA) 2)Complements the BC847B HZG lApplication l AUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL AMPLIFIER lPackaging specifications l Basic Package Taping Reel size Tape widt

 8.1. Size:121K  philips
bc857bv.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 BC857BV PNP general purpose double transistor Product data sheet 2001 Nov 07 Supersedes data of 2001 Aug 10 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose double transistor BC857BV FEATURES PINNING 300 mW total power dissipation PIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2

 8.2. Size:111K  philips
bc857bs.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage MBD128 BC857BS PNP general purpose double transistor Product data sheet 1999 Apr 26 Supersedes data of 1997 Jul 09 NXP Semiconductors Product data sheet PNP general purpose double transistor BC857BS FEATURES PINNING Low collector capacitance PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage 1, 4 emitter TR1

 8.3. Size:51K  philips
bc857bs 2.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage MBD128 BC857BS PNP general purpose double transistor 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 09 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose double transistor BC857BS FEATURES PINNING Low collector capacitance PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage 1, 4 emit

Другие транзисторы... 2SCR544P5 , 2SCR554P5 , 2SCR572D3 , 2SCR572D3FRA , 2SCR573D3 , 2SCR574D3FRA , BC847BHZG , BC847BU3 , BD135 , DTA115EUB , DTD143ECHZG , EMX4 , LSCR523EBFS8 , SST2222AHZG , SST2907AHZG , UMF28N , UMT4401U3 .

 

 
Back to Top

 


 
.