Справочник транзисторов. BC857BHZG

 

Биполярный транзистор BC857BHZG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC857BHZG
   Маркировка: G3F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 210
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для BC857BHZG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC857BHZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1377K  rohm
bc857bhzg.pdfpdf_icon

BC857BHZG

BC857B HZGDatasheetPNP General purpose transistorAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23 Parameter Value VCEO-45VIC-100mASST3lFeatures lInner circuitl l1)BVCEO>45V(IC=1mA)2)Complements the BC847B HZGlApplicationlAUDIO FREQUENCY SMALL SIGNAL AMPLIFIERlPackaging specificationslBasicPackage Taping Reel size Tape widt

 8.1. Size:121K  philips
bc857bv.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC857BVPNP general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Nov 07Supersedes data of 2001 Aug 10NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC857BVFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2

 8.2. Size:111K  philips
bc857bs.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEEThandbook, halfpageMBD128BC857BSPNP general purpose double transistorProduct data sheet 1999 Apr 26Supersedes data of 1997 Jul 09 NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose double transistor BC857BSFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 emitter TR1

 8.3. Size:51K  philips
bc857bs 2.pdfpdf_icon

BC857BHZG

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageMBD128BC857BSPNP general purpose doubletransistor1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose double transistor BC857BSFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 emit

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC651E | KRC114M

 

 
Back to Top

 


 
.