Справочник транзисторов. 2SB1115-YL

 

Биполярный транзистор 2SB1115-YL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1115-YL
   Маркировка: YL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB1115-YL

 

 

2SB1115-YL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  cn shikues
2sb1115-ym 2sb1115-yl 2sb1115-yk.pdf

2SB1115-YL

 7.1. Size:228K  nec
2sb1115 2sb1115a.pdf

2SB1115-YL
2SB1115-YL

 7.2. Size:1195K  kexin
2sb1115.pdf

2SB1115-YL
2SB1115-YL

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1115 Features1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD16150.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current -

 7.3. Size:1207K  kexin
2sb1115a.pdf

2SB1115-YL
2SB1115-YL

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1115A Features1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD1615A0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top