2SB1115-YL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1115-YL

Маркировка: YL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB1115-YL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1115-YL даташит

 ..1. Size:607K  cn shikues
 2sb1115-ym 2sb1115-yl 2sb1115-yk.pdf pdf_icon

2SB1115-YL

 7.1. Size:228K  nec
 2sb1115 2sb1115a.pdf pdf_icon

2SB1115-YL

 7.2. Size:1195K  kexin
 2sb1115.pdf pdf_icon

2SB1115-YL

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1115 Features 1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD1615 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current -

 7.3. Size:1207K  kexin
 2sb1115a.pdf pdf_icon

2SB1115-YL

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB1115A Features 1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD1615A 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1576AR-R, 2SA1576AR-S, 2SA1797P, 2SA1797Q, 2SA1797R, 2SB1114ZL, 2SB1114ZM, 2SB1115-YK, TIP2955, 2SB1115-YM, 2SB1386P, 2SB1386Q, 2SB1386R, 2SB806-KP, 2SB806-KQ, 2SB806-KR, 2SC2712-LG