Справочник транзисторов. 2SB1115-YM

 

Биполярный транзистор 2SB1115-YM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB1115-YM
   Маркировка: YK
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SB1115-YM

 

 

2SB1115-YM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  cn shikues
2sb1115-ym 2sb1115-yl 2sb1115-yk.pdf

2SB1115-YM

 7.1. Size:228K  nec
2sb1115 2sb1115a.pdf

2SB1115-YM
2SB1115-YM

 7.2. Size:1195K  kexin
2sb1115.pdf

2SB1115-YM
2SB1115-YM

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1115 Features1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD16150.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current -

 7.3. Size:1207K  kexin
2sb1115a.pdf

2SB1115-YM
2SB1115-YM

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB1115A Features1.70 0.1 Low VCE(sat) VCE(sat)=-0.2V at 1A Complementary to 2SD1615A0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -60 V Emitter - Base Voltage VEBO -6 Collector Current

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: HSBD175

 

 
Back to Top