2SD1781K-R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1781K-R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 2SD1781K-R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1781K-R даташит

 ..1. Size:542K  cn shikues
 2sd1781k-q 2sd1781k-r.pdf pdf_icon

2SD1781K-R

2SD1781K Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES High Collector Current.(IC= 500mA Complementary To 2SB1197K Excellent HFE Linearity. High total power dissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS High Collector Current. MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified CLASSIFICATION OF hFE(1) REV.08 1 of 4 2SD1781K ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25 unle

 6.1. Size:1661K  rohm
 2sd1781k.pdf pdf_icon

2SD1781K-R

2SD1781K Datasheet Medium Power Transistor (32V, 800mA) lOutline l Parameter Value SMT3 VCEO 32V IC 800mA SOT-346 SC-59 lFeatures l 1)Very low VCE(sat). lInner circuit l VCE(sat)=0.1V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) 2)Higt current capacity in compact package. 3)Complements the 2SB1197K. lApplication l

 6.2. Size:969K  rohm
 2sd1781kfra.pdf pdf_icon

2SD1781K-R

2SD1781KFRA 2SD1781K Transistors AEC-Q101 Qualified Medium Power Transistor (32V, 0.8A) 2SD1781K 2SD1781KFRA External dimensions (Unit mm) Features 1) Very Low VCE(sat). 2.9 0.2 VCE(sat) = 0.1V(Typ.) 1.1+0.2 1.9 0.2 -0.1 IC / IB= 500 A / 50mA 0.8 0.1 0.95 0.95 2) High current capacity in compact package. (1) (2) 0 0.1 3) Complements the 2SB1197K 2SB1197K. (3) +0

 6.3. Size:214K  lge
 2sd1781k sot-23-3l.pdf pdf_icon

2SD1781K-R

2SD1781K SOT-23-3L Transistor(NPN) SOT-23-3L 1. BASE 2. EMITTER 2.92 0.35 3. COLLECTOR 1.17 Features 2.80 1.60 Low voltage High saturation current capability 0.15 1.90 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) Symbol Parameter Value Units VCBO 40 V Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 32 V VEBO Emit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1614XM, 2SD1615GK, 2SD1615GL, 2SD1615GM, 2SD1766P, 2SD1766Q, 2SD1766R, 2SD1781K-Q, TIP42C, 2SD1898Q, 2SD1898R, 2SD2150R, 2SD2150S, 2SD874A-Q, 2SD874A-R, 2SD874A-S, 2SD965-R