Биполярный транзистор B772Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: B772Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT89-3L
B772Y Datasheet (PDF)
b772r b772o b772y b772gr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
B772 TRANSISTOR PNPFEATURES Low speed switching SOT-89 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 1. BASESymbol Parameter Value Units2. COLLECTORVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V 3. EMITTERVEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W Tj Junction Tempera
b772r b772o b772y b772gr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate PNP Transistors EncapsulateFEATURE Low speed switching MARKING:B772 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unless otherwise specified) 1 of 2 2 of 2
b772r b772o b772y b772gr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
B772 SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTORPNPSOT-89-3L FEATURE Low speed switching 1. BASEMARKING:B772 2. COLLETOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit3. EMITTERVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC C
b772r b772o b772y b772gr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
B772 TRANSISTORPNPSOT-89FEATURE Low speed switching 1. BASEMARKING:B772 2. COLLETOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit3. EMITTERVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W Thermal Res
b772r b772o b772y b772gr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
B772 TRANSISTOR(PNP)SOT-89-3L SOT-89-3LSOT-89-3LPlastic-Encapsulate Transistors Features Low speed switching Power Dissipation of 500mW High Stability and High Reliability Mechanical Data SOT-89-3L Outline Plastic Package Epoxy UL: 94V-0Marking: B772 Mounting Position: Any(TA = 25
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
![B772Y](https://alltransistors.com/images/us.png)
![B772Y](https://alltransistors.com/images/es.png)
![B772Y](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS