Биполярный транзистор KTC3880O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC3880O
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT23
KTC3880O Datasheet (PDF)
ktc3880s.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3880STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.EL B LFEATURESDIM MILLIMETERSSmall Reverse Transfer Capacitance_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: Cre=0.7pF(Typ.)C 1.30 MAX2Low Noise Figure : NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.201G 1.90
ktc3880.pdf
KTC3880 Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , Small reverse transfer capacitance, low noise figure. / Applications High frequency low noise amplifier. /
ktc3880lt1.pdf
SEMICONDUCTOR KTC3880LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Low Noise Figure NF=2.5DBTYPf=100MHZ Package:SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 40 V Collector-Emitter Voltage Vceo 30 V Emitter-Base Voltage Vebo 4 V Collector Curren
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
