Справочник транзисторов. PXT8050C

 

Биполярный транзистор PXT8050C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PXT8050C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PXT8050C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  cn shikues
pxt8050c pxt8050d.pdfpdf_icon

PXT8050C

PXT8050NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation Ptot 625

 7.1. Size:446K  mcc
pxt8050-c-d-d3.pdfpdf_icon

PXT8050C

PXT8050-CMCCMicro Commercial ComponentsTMPXT8050-D20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311PXT8050-D3Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingNPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking:Y1 Plastic-Encapsulate

 7.2. Size:1580K  jiangsu
pxt8050.pdfpdf_icon

PXT8050C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base V

 7.3. Size:471K  htsemi
pxt8050.pdfpdf_icon

PXT8050C

PXT8 050TRANSISTOR(NPN)SOT-89 FEATURES Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power dissipation 0.5 W TJ Junctio

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: SN270 | MJD340G | AC152-5 | 2SC3990M | GT403D | 3DD3145_A6 | 2SD1231

 

 
Back to Top

 


 
.