Справочник транзисторов. PXT8550C

 

Биполярный транзистор PXT8550C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PXT8550C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PXT8550C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  cn shikues
pxt8550c pxt8550d.pdfpdf_icon

PXT8550C

PXT8550PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 25 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 1.5 APower Dissipation Ptot

 ..2. Size:11458K  cn twgmc
pxt8550c pxt8550d pxt8550d1 pxt8550d2.pdfpdf_icon

PXT8550C

PXT8550PXT8550PXT8550 PXT8550 TRANSISTOR (PNP)SOT-89FEATURESCompliment to PXT8050 MARKING: Y21. BASE 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitV Collector-Base Voltage -40 VCBOVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current -Continuous -1.5 ACP Collector Power

 7.1. Size:325K  mcc
pxt8550-b-c-d-d3.pdfpdf_icon

PXT8550C

M C CTMPXT8550-BMicro Commercial Components PXT8550-CMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthPXT8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933PXT8550-D3Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking:Y2/8550Plas

 7.2. Size:627K  jiangsu
pxt8550.pdfpdf_icon

PXT8550C

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8550 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Compliment to PXT8050 2. COLLECTOR MARKING: Y2 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Bas

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.