Биполярный транзистор 2SC3585A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3585A
Маркировка: R43
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000(typ) MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT23
2SC3585A Datasheet (PDF)
2sc3585a 2sc3585b 2sc3585c 2sc3585d.pdf
2SC3585NPN2SC3585 NPN SOT-23-3L VHFUHF CATV :S21e2 5.5dB @ VCE=6VIC=
2sc3585.pdf
DATA SHEETDATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3585MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIERNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISORDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SC3585 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in(Units: mm)low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The2.80.22SC3585 em
ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf
NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l
2sc3585.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC3585SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=35mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=10V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Collect
2sc3585.pdf
isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3585DESCRIPTIONCollector Current I = 35mACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 10V(Min)(BR)CEOHigh gain:2 S21e = 5.5 dB (typical) ( I =5mA,f=2GHz)CGain bandwidth productfT = 10 GHZ (typical) (I =10mA,f=1GH)CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050