2SC4228B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4228B  📄📄 

Маркировка: R44

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 typ MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4228B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4228B даташит

 ..1. Size:1005K  slkor
 2sc4228a 2sc4228b 2sc4228c 2sc4228d 2sc4228e.pdf pdf_icon

2SC4228B

2SC4228 NPN 2SC4228 NPN SOT-323 VHF UHF S21e 2 5.5 dB @ VCE=3V IC=5mA f=2GHz

 7.1. Size:247K  nec
 ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf pdf_icon

2SC4228B

NEC's NPN SILICON HIGH NE680 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCE DESCRIPTION NEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for l

 7.2. Size:51K  nec
 2sc4228.pdf pdf_icon

2SC4228B

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC4228 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SC4228 is a low supply voltage transistor designed for VHF, in millimeters UHF low noise amplifier. It is suitable for a high density surface mount assembly since the 2.1 0.1 transistor has been applied super mini mold pa

 7.3. Size:590K  inchange semiconductor
 2sc4228.pdf pdf_icon

2SC4228B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor 2SC4228 DESCRIPTION High f T 8.0GHz TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHz CE C Low C re 0.3pF TYP., @V = 3 V, I = 0, f = 1 MHz CB E High S 2 21e 7.5 dB TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHz CE C 100% tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3585A, 2SC3585B, 2SC3585C, 2SC3585D, 2SC4226-R24, 2SC4226-R25, 2SC4226-R26, 2SC4228A, BC557, 2SC4228C, 2SC4228D, 2SC4228E, 2SC4901-B, 2SC4901-C, 2SC4901-D, 2SD1624-R, 2SD1624-S