Справочник транзисторов. 2SC4228B

 

Биполярный транзистор 2SC4228B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC4228B
   Маркировка: R44
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для 2SC4228B

 

 

2SC4228B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  slkor
2sc4228a 2sc4228b 2sc4228c 2sc4228d 2sc4228e.pdf

2SC4228B
2SC4228B

2SC4228NPN2SC4228 NPN SOT-323 VHFUHF :S21e2 5.5 dB @ VCE=3VIC=5mAf=2GHz

 7.1. Size:247K  nec
ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf

2SC4228B
2SC4228B

NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l

 7.2. Size:51K  nec
2sc4228.pdf

2SC4228B
2SC4228B

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC4228HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIERNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORSUPER MINI MOLDDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONS The 2SC4228 is a low supply voltage transistor designed for VHF,in millimeters UHF low noise amplifier.It is suitable for a high density surface mount assembly since the 2.1 0.1 transistor has been applied super mini mold pa

 7.3. Size:590K  inchange semiconductor
2sc4228.pdf

2SC4228B
2SC4228B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC4228DESCRIPTIONHigh fT8.0GHz TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHzCE CLow Cre0.3pF TYP., @V = 3 V, I = 0, f = 1 MHzCB EHigh S 221e7.5 dB TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHzCE C100% testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned f

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top