2SC4228E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SC4228E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SC4228E
   Маркировка: R45
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000(typ) MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для 2SC4228E

 

2SC4228E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  slkor
2sc4228a 2sc4228b 2sc4228c 2sc4228d 2sc4228e.pdfpdf_icon

2SC4228E

2SC4228 NPN 2SC4228 NPN SOT-323 VHF UHF S21e 2 5.5 dB @ VCE=3V IC=5mA f=2GHz

 7.1. Size:247K  nec
ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdfpdf_icon

2SC4228E

NEC's NPN SILICON HIGH NE680 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCE DESCRIPTION NEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for l

 7.2. Size:51K  nec
2sc4228.pdfpdf_icon

2SC4228E

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC4228 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SC4228 is a low supply voltage transistor designed for VHF, in millimeters UHF low noise amplifier. It is suitable for a high density surface mount assembly since the 2.1 0.1 transistor has been applied super mini mold pa

 7.3. Size:590K  inchange semiconductor
2sc4228.pdfpdf_icon

2SC4228E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor 2SC4228 DESCRIPTION High f T 8.0GHz TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHz CE C Low C re 0.3pF TYP., @V = 3 V, I = 0, f = 1 MHz CB E High S 2 21e 7.5 dB TYP. @V = 3 V, I = 5 mA, f = 2 GHz CE C 100% tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed f

Другие транзисторы... 2SC3585D , 2SC4226-R24 , 2SC4226-R25 , 2SC4226-R26 , 2SC4228A , 2SC4228B , 2SC4228C , 2SC4228D , 2N3906 , 2SC4901-B , 2SC4901-C , 2SC4901-D , 2SD1624-R , 2SD1624-S , 2SD1624-T , 2SD1624-U , 2SD1766-P .

History: 2SD1624-S

 

 
Back to Top

 


 
.