848AT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 848AT
Маркировка: 1J
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110
Корпус транзистора: SOT523
Аналоги (замена) для 848AT
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
848AT даташит
846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf
BC846T-BC850T NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846T 80 VCBO BC847T, BC850T 50 V BC848T, BC849T 30 Collector Emitter Voltage BC846T 65 VCEO BC847T, BC850T 45 V BC848T, BC849T 30 Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6 VEBO V BC848T, BC849T, BC850T 5
Другие транзисторы: 2SD965A-R, 2SD965A-S, 846AT, 846BT, 846CT, 847AT, 847BT, 847CT, 8050, 848BT, 848CT, 849AT, 849BT, 849CT, 850AT, 850BT, 850CT
History: 2SC3646T-TD-E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750

