849BT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 849BT  📄📄 

Маркировка: 2B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT523

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 849BT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

849BT даташит

 ..1. Size:724K  slkor
 846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf pdf_icon

849BT

BC846T-BC850T NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846T 80 VCBO BC847T, BC850T 50 V BC848T, BC849T 30 Collector Emitter Voltage BC846T 65 VCEO BC847T, BC850T 45 V BC848T, BC849T 30 Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6 VEBO V BC848T, BC849T, BC850T 5

Другие транзисторы: 846CT, 847AT, 847BT, 847CT, 848AT, 848BT, 848CT, 849AT, 2SD313, 849CT, 850AT, 850BT, 850CT, 857AW, 857BW, 858AW, 858BW