Биполярный транзистор 850BT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 850BT
Маркировка: 2F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT523
850BT Datasheet (PDF)
..1. Size:724K slkor
846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf
846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf
BC846T-BC850TNPN Silicon Epitaxial Transistorfor switching and amplifier applicationsOAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage BC846T 80VCBOBC847T, BC850T 50 VBC848T, BC849T 30Collector Emitter Voltage BC846T 65VCEOBC847T, BC850T 45 VBC848T, BC849T 30Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6VEBO VBC848T, BC849T, BC850T 5
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
