Биполярный транзистор 850CT Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 850CT
   Маркировка: 2G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: SOT523
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам