Биполярный транзистор 850CT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 850CT
Маркировка: 2G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора: SOT523
850CT Datasheet (PDF)
846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BC846T-BC850TNPN Silicon Epitaxial Transistorfor switching and amplifier applicationsOAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage BC846T 80VCBOBC847T, BC850T 50 VBC848T, BC849T 30Collector Emitter Voltage BC846T 65VCEOBC847T, BC850T 45 VBC848T, BC849T 30Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6VEBO VBC848T, BC849T, BC850T 5
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .