CZT5551N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT5551N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CZT5551N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT5551N даташит

 ..1. Size:562K  slkor
 czt5551a czt5551n czt5551c.pdf pdf_icon

CZT5551N

CZT5551 NPN Transistor Epitaxial Planar Transistor SOT-223 Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.30 3.70 H 0.25 0.35 4 3.30 3.70 o 5 1.40 1.80 MAXIMUM RATINGS* (Tam

 7.1. Size:534K  central
 czt5551e.pdf pdf_icon

CZT5551N

CZT5551E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage. MARKING FULL PART NUMBER FEATURES SOT-223 CASE SOT-223 CASE High Collector Breakdown Voltage

 7.2. Size:527K  central
 czt5551.pdf pdf_icon

CZT5551N

CZT5551 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Col

 7.3. Size:527K  central
 czt5551hc.pdf pdf_icon

CZT5551N

CZT5551HC www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-223 CASE SOT-223 CASE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 858AW, 858BW, BCP68-16, BFG425W-TOB, BFG520-X, BFG520-XR, CZT5551A, CZT5551C, D209L, D882Q, MBT3946, MJD122D, MJD127D, MMBTA56G, MMBTA56H, PBSS304, S8050TH