Справочник транзисторов. MMBTA56G

 

Биполярный транзистор MMBTA56G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA56G
   Маркировка: 2GM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBTA56G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA56G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  slkor
mmbta56l mmbta56h mmbta56g.pdfpdf_icon

MMBTA56G

MMBTA56 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSI STOR (PNP)MARKING: Equivalent Circuit:SOT-231.BASE2.EMITTER3.COLLECTORFEATURES: Complimentary Type NPN Transistor MMBTA06 General Purpose Amplifier ApplicationsMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector-Base Voltage VCBO -80 VCollector-Emitter Voltage VCEO -80 VEm

 7.1. Size:77K  motorola
mmbta55l mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA55LT1/DDriver TransistorsMMBTA55LT1COLLECTORPNP Silicon3MMBTA56LT1**Motorola Preferred Device1BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit1CollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 Vdc2CollectorBase Voltage VCBO 60 80 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 Vdc

 7.2. Size:1073K  fairchild semi
mpsa56 mmbta56 pzta56.pdfpdf_icon

MMBTA56G

February 2006MPSA56/MMBTA56/PZTA56 PNP General Purpose AmplifierDescriptionThis device is designed for general purpose amplifierapplications at collector currents to 300mA. Sourcedfrom Process 73Absolute Maximum Ratings*TA = 25C unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCES -80 VCollector-Base Voltage VCBO -80 VEmitter-Base Voltag

 7.3. Size:393K  diodes
mmbta55 mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56G

MMBTA55 / MMBTA56 PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case: SOT-23 Ideal for Low Power Amplification and Switching Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound; Complementary NPN Type: MMBTA05 / MMBTA06 UL Flammability Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC4213-B | 2SC4272D

 

 
Back to Top

 


 
.