MMBTA56H - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBTA56H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBTA56H
   Маркировка: 2GM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTA56H

 

MMBTA56H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  slkor
mmbta56l mmbta56h mmbta56g.pdfpdf_icon

MMBTA56H

MMBTA56 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSI STOR (PNP) MARKING Equivalent Circuit SOT-23 1.BASE 2.EMITTER 3.COLLECTOR FEATURES Complimentary Type NPN Transistor MMBTA06 General Purpose Amplifier Applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Em

 7.1. Size:77K  motorola
mmbta55l mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56H

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA55LT1/D Driver Transistors MMBTA55LT1 COLLECTOR PNP Silicon 3 MMBTA56LT1* *Motorola Preferred Device 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit 1 Collector Emitter Voltage VCEO 60 80 Vdc 2 Collector Base Voltage VCBO 60 80 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 4.0 Vdc

 7.2. Size:1073K  fairchild semi
mpsa56 mmbta56 pzta56.pdfpdf_icon

MMBTA56H

February 2006 MPSA56/MMBTA56/PZTA56 PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. Sourced from Process 73 Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCES -80 V Collector-Base Voltage VCBO -80 V Emitter-Base Voltag

 7.3. Size:393K  diodes
mmbta55 mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56H

MMBTA55 / MMBTA56 PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23 Features Mechanical Data Epitaxial Planar Die Construction Case SOT-23 Ideal for Low Power Amplification and Switching Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound; Complementary NPN Type MMBTA05 / MMBTA06 UL Flammability Classification Rating 94V-0 Totally Lead-Free & Fully RoHS Complian

Другие транзисторы... CZT5551A , CZT5551C , CZT5551N , D882Q , MBT3946 , MJD122D , MJD127D , MMBTA56G , 2SD669A , PBSS304 , S8050TH , S8050TJ , S8050TL , S8050W-H , S8050W-J , S8050W-L , S8550-H .

 

 
Back to Top

 


 
.