2SA1261K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1261K
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO220C
Аналоги (замена) для 2SA1261K
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1261K даташит
2sa1261m 2sa1261l 2sa1261k.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1261 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.6V(Max.)@I = -5A CE(sat) C Fast Switching Speed Complement to Type 2SC3157 APPLICATIONS Developed for high-voltage high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switching reg- lators, DC/DC converters, and high frequency p
2sa1261.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1261 DESCRIPTION With TO-220 package High switching speed Low collector saturation voltage Complement to type 2SC3157 APPLICATIONS For high voltage ,high speed and power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolu
2sa1261.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1261 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.6V(Max.)@I = -5A CE(sat) C Fast Switching Speed Complement to Type 2SC3157 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Developed for high-voltage high-speed switching, and is ideal for use as a driver in devices such as switchin
Другие транзисторы: SS30101-Q, SS8050-H, SS8050-J, SS8050-L, 2KW8629, 2SA1141Q, 2SA1141R, 2SA1232R, A1015, 2SA1261L, 2SA1261M, 2SA1264O, 2SA1264R, 2SA1265O, 2SA1265R, 2SA1452P, 2SA1452Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet



