Биполярный транзистор 2SA1265R
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1265R
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30(typ)
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 480
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3PI
Аналоги (замена) для 2SA1265R
2SA1265R
Datasheet (PDF)
..1. Size:195K cn sptech
2sa1265r 2sa1265o.pdf SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
7.1. Size:94K toshiba
2sa1265.pdf This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
7.2. Size:201K jmnic
2sa1265n.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1265N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SC3182 2SA1265 with short pin APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SY
7.3. Size:220K inchange semiconductor
2sa1265.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage app
7.4. Size:222K inchange semiconductor
2sa1265n.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1265NDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Min) @I = -7ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3182NMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 70W high fidelity audio frequencyamplifier output stage a
Другие транзисторы... 2SA1801
, 2SA1802
, 2SA1802A
, 2SA1803
, 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, TIP35C
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, 2SA1806
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
.