2SA1744M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1744M
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для 2SA1744M
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1744M даташит
2sa1744m 2sa1744l 2sa1744k.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1744 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A) CE(sat) C B APPLICATIONS This type of power transistor is developed for high-speed switching and f
2sa1744.pdf
DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SA1744 PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SA1744 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT mm) switching and features a high hFE at Low VCE(sat). This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators. In addition, a small resin-molded insulation type package contributes
2sa1744t2tl.pdf
2SA1744T2TL Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A) CE(sat) C B APPLICATIONS This type of power transistor is developed for high-speed switching and features a high h at low V ,which
2sa1744.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1744 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A) CE(sat) C B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS This type of power t
Другие транзисторы: 2SA1265R, 2SA1452P, 2SA1452Q, 2SA1742K, 2SA1742L, 2SA1742M, 2SA1744K, 2SA1744L, 2SD1047, 2SA1758D, 2SA1758E, 2SA1758F, 2SA1940O, 2SA1940R, 2SA1941O, 2SA1941R, 2SA1943O
History: 2SA1114 | 2SA1742K | 2SA1742M | 2SD1161 | 2SD1158 | 2SA1943O | 2N5995
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet



