Справочник транзисторов. 2SC3856Y

 

Биполярный транзистор 2SC3856Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC3856Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SC3856Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3856Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  cn sptech
 2sc3856o 2sc3856p 2sc3856y.pdf pdf_icon

2SC3856Y

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3856DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1492APPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 200 VCBOV Collector

 7.1. Size:179K  jmnic
 2sc3856.pdf pdf_icon

2SC3856Y

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3856 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1492 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.2. Size:24K  sanken-ele
 2sc3856.pdf pdf_icon

2SC3856Y

2SC3856Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1492)Application : Audio and General PurposeExternal Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)SymbolSymbol 2SC3856 Unit Conditions 2SC3856 Unit0.24.80.415.6ICBO 0.1VCBO 200 V VCB=200V 100max A 9.6 2.0IEBOVCEO 180 V VEB=6V 100max

 7.3. Size:1824K  cn sps
 2sc3856t4tl.pdf pdf_icon

2SC3856Y

2SC3856T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1492APPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 200 VCBOV Collector-Emitter Voltage 180 VCEOV E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC3834G , 2SC3834O , 2SC3834Y , 2SC3835G , 2SC3835O , 2SC3835Y , 2SC3856O , 2SC3856P , 2N4401 , 2SC4467O , 2SC4467P , 2SC4467Y , 2SC4550K , 2SC4550L , 2SC4550M , 2SC4552K , 2SC4552L .

 

 
Back to Top

 


 
.