STX616-AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STX616-AP

Маркировка: X616

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 17

Корпус транзистора: TO92AP

 Аналоги (замена) для STX616-AP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STX616-AP даташит

 ..1. Size:101K  st
 stx616 stx616-ap.pdf pdf_icon

STX616-AP

STX616 High voltage NPN power transistor Features High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Applications Switching mode power supply Battery charger TO-92 TO-92AP Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram

 8.1. Size:105K  st
 stx616.pdf pdf_icon

STX616-AP

STX616 High voltage NPN power transistor Features High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Applications Switching mode power supply Battery charger TO-92 TO-92AP Description The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram

Другие транзисторы: MN1526O, MN1526P, MN1526R, MP1526O, MP1526P, MP1526R, ST13003-K, STD888T4, D882P, TIP31C-O, TIP31C-R, TIP31C-Y, TIP41C-O, TIP41C-R, TIP41C-Y, TIP42C-O, TIP42C-R