Биполярный транзистор STX616-AP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STX616-AP
Маркировка: X616
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 17
Корпус транзистора: TO92AP
Аналоги (замена) для STX616-AP
STX616-AP Datasheet (PDF)
stx616 stx616-ap.pdf
STX616High voltage NPN power transistorFeatures High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operationApplications Switching mode power supply Battery chargerTO-92 TO-92APDescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram
stx616.pdf
STX616High voltage NPN power transistorFeatures High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operationApplications Switching mode power supply Battery chargerTO-92 TO-92APDescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050