2SA1492T4BL - описание и поиск аналогов

 

2SA1492T4BL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1492T4BL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3N

 Аналоги (замена) для 2SA1492T4BL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1492T4BL даташит

 ..1. Size:1286K  cn sps
 2sa1492t4bl.pdf pdf_icon

2SA1492T4BL

2SA1492T4BL Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3856 APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -180 V CBO V Collector-Emitter Voltage -180 V CEO V Emitt

 7.1. Size:182K  jmnic
 2sa1492.pdf pdf_icon

2SA1492T4BL

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1492 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC3856 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.2. Size:28K  sanken-ele
 2sa1492.pdf pdf_icon

2SA1492T4BL

2SA1492 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3856) Application Audio and General Purpose External Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Symbol Conditions Ratings Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 0.1 9.6 2.0 VCBO 180 V ICBO VCB= 180V 100max A VCEO 180 V IEBO VEB= 6

 7.3. Size:428K  cn sptech
 2sa1492o 2sa1492p 2sa1492y.pdf pdf_icon

2SA1492T4BL

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1492 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -180V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SC3856 APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -180 V CBO V Collector-Emit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TIP41C-O, TIP41C-R, TIP41C-Y, TIP42C-O, TIP42C-R, TIP42C-Y, 2N3055T3BL, 2N3773T3BL, BD139, 2SA1744T2TL, 2SA1746T5TL, 2SA1941T6TL, 2SA1943T7TL, 2SA940T1TL, 2SC2073T1TL, 2SC2246T3BL, 2SC2625T4TL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.