2SC4552T2TL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC4552T2TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для 2SC4552T2TL
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC4552T2TL даташит
2sc4552t2tl.pdf
2SC4552T2TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A) CE(sat) C B APPLICATIONS Designed for use as a driver in DC/DC converters and actuators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P
2sc4552.pdf
DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC4552 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC4552 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT mm) switching and features low VCE(sat) and high hFE. This transistor is ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators. In addition, a small resin-molded insulation type package contribu
2sc4552m 2sc4552l 2sc4552k.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC4552 DESCRIPTION With TO-220F package High hFE and low VCE(sat) APPLICATIONS For high-speed switching For use in drivers such as DC-DC converters and actuators. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 )
2sc4552.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4552 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A) CE(sat) C B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as a drive
Другие транзисторы: 2SC3835T4TL, 2SC3856T4TL, 2SC3907T4TL, 2SC3997T7TL, 2SC3998T7TL, 2SC4110T4TL, 2SC4131T5TL, 2SC4237T8TL, D882, 2SC5027T1TL, 2SC5198T7TL, 2SC5200T7TL, 2SC5570T7TL, BU406DT9TL, BU406T1TL, BU508AT4TL, BU941PT4TL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet



